رم RAM یکی از قطعاتی است که سیر افزایش سرعت و کوچک شدن را به طور هم زمان به خوبی سپری کرده است. با این وجود این روال همچنان ادامه دارد. طی چند نسل گذشته رم ها، نسل به نسل شاهد چند اتفاق بودیم:
1- سرعت، مهم ترین عاملی بود که در رم های نسل جدید، دائم افزایش می یافت.
2- حجم حافظه، به تبع برنامه های حجیم، دائم در حال افزایش بود.
3- در مقابل افزایش سرعت و افزایش حجم حافظه، اندازه رم ها تغییری نمی کرد. یعنی در واقع حجم فیزیکی رم ها در حال کاهش بود.
4- وقتی مصرف کننده ها کوچک تر می شود، توان مصرفی آن ها نیز کاهش می یابد و البته گرمای کمتری نیز تولید می کند. در واقع رم های جدیدتر در مصرف انرژی بهینه سازی می شد.
این 4 عامل از اصلی ترین عوامل پیشرفت رم ها محسوب می شود. در نسل های آتی رم که امروز تنها اطلاعات مختصری درباره آن ها منتشر شده، همین 4 عامل مدنظر قرار گرفته است. نسل های آینده رم به دو خانواده مختلف تقسیم شده است و البته دو شرکت مختلف، فناوری ساخت این دو رم را به وجود آورده اند.
Z-RAM
ZRAM که مخفف کلمات Zero capacitor RAM است، نسل جدیدی از رم هاست که شباهت به نسل SRAMها دارد. این نسل جدید رم که ساخت Innovative Silicon Inc است، به لحاظ ساختار فیزیکی به SRAMها شبیه دانسته می شود.
در واقع 2 نسل فراگیر رم ها در عصر حاضر، SRAMها و DRAMها می باشند. صرف نظر از ساختار منطقی این خانواده ها و مقایسه ویژگی های آن ، ویژگی های الکترونیکی مورد بررسی قرار می گیرد. هر سلول حافظه SRAMها از 6 ترانزیستور بهره می برد. در مقابل هر سلول حافظه از DRAMها از یک ترانزیستور و یک خازن استفاده می کنند. کلماتی که Z-RAM از آن برداشته شده است، حاکی از این موضوع است که در Z-RAM ها هیچ خازنی استفاده نمی شود. تعداد ترانزیستورها نیز از 6 ترانزیستور در SRAM به تنها یک ترانزیسور کاهش یافته است. این اتفاق یک پیشرفت بزرگ در زمینه ساخت رم و به طور کلی حافظه محسوب می شود. در این صورت اگر ابعاد Z-RAM را یک واحد حجم تصور کنیم، DRAM، 5/1 واحد حجم و SRAM 4 واحد فضا اشغال می کنند. اگر توان مصرفی یک واحد حافظه از Z-RAM را یک واحد توان در نظر بگیریم، DRAMها کمی بیشتر از یک واحد و SRAMها نزدیک به 4 واحد توان انرژی مصرف می کنند. عده ای گمان می کنند که سازندگان قطعات رایانه ای نمی توانند حافظه های بسیار سریع تولید کنند، در صورتی که این تصور صحیح نیست. تولید واحدهای حافظه بسیار سریع از قدیم نیز امکان پذیر بوده، اما ساخت آن از نظر اقتصادی به صرفه نبوده است. اکنون که هزینه ساخت یک واحد حافظه نزدیک به 6 بار کاهش یافته است. در حقیقت بدون این که شاهد افزایش قیمت خیلی ناگهانی در نسل جدید رم ها باشیم، از سرعت بالاتری بهره مند خواهیم شد.
TTRAM
TTRAMها نام نسل دیگری از رم های آینده است که به DRAMها شباهت بیشتری دارد. TTRAM مخفف کلمات Twin Transistor RAM است و از دو ترازیستوری بودن این نسل از رم ها حکایت می کند. Renesas سازنده این نسل از رم ها، مدعی است که می تواند خازن را حذف کند و با استفاده از فناوری جدید موسوم به SOI، تنها با استفاده از دو ترانزیستور، سرعت حافظه رم را افزایش و حجم و مصرف انرژی را کاهش دهد. با این وجود ویژگی های الکترونیکی Z-RAMها، برجسته تر به نظر می رسدو البته هنوز نمی توان پیش داوری کرد و یکی از این دو خانواده را نسل آتی رم ها در نظر گرفت. اما امکان دارد ویژگی های یکی از این خانه های حافظه، رقیب دیگر را از عرصه بیرون کند
۱۳۸۷ اسفند ۱۱, یکشنبه
اشتراک در:
نظرات پیام (Atom)
هیچ نظری موجود نیست:
ارسال یک نظر